? (略) (略) ,于 *** 在公告。 (略) 方式,現(xiàn)邀請合格投標(biāo)人參加投標(biāo)。
1、招標(biāo)條件
項(xiàng)目概況:長江 (略) 國際設(shè)備采購(第14批)
資金到位或資金來源落實(shí)情況:已落實(shí)
(略) 條件的說明:已具備
2、招標(biāo)內(nèi)容
招標(biāo)項(xiàng)目編號: *** H ***
招標(biāo)項(xiàng)目名稱:長江 (略) 國際設(shè)備采購項(xiàng)目(第14批)
項(xiàng)目實(shí)施地點(diǎn):中國 (略) 省
招標(biāo)產(chǎn)品列表(主要設(shè)備):
序號 | 產(chǎn)品名稱 | 數(shù)量 | 簡要技術(shù)規(guī)格 | 備注 |
1 | 單片式輕聚合物化學(xué)清洗機(jī) | 2 | 詳見文件 | |
2 | 單片式臭氧化學(xué)清洗機(jī) | 2 | 詳見文件 | |
3 | 單片式鎢制程晶背清洗機(jī) | 2 | 詳見文件 | |
4 | 單片式鎢制程化學(xué)清洗機(jī) | 2 | 詳見文件 | |
5 | 晶圓單片式晶圓清洗機(jī) | 2 | 詳見文件 | |
6 | 晶圓單片式晶圓清洗機(jī)(銅制程) | 2 | 詳見文件 | |
7 | 晶圓表面沾污測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
8 | 薄膜厚度光學(xué)量測系統(tǒng) | 4 | 詳見文件 | |
9 | 半導(dǎo)體材料元素濃度測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
10 | 薄膜電性分析和硅基底測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
11 | 薄膜厚度和成分測量儀 | 2 | 詳見文件 | |
12 | 薄膜厚度和成分測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
13 | 光學(xué)特征尺寸量測系統(tǒng) | 4 | 詳見文件 | |
14 | 介質(zhì)薄膜測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
15 | 掃描電鏡曝光對準(zhǔn)測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
16 | 金屬薄膜測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
17 | 晶圓質(zhì)量測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
18 | 掃描電鏡關(guān)鍵尺寸測量系統(tǒng) | 4 | 詳見文件 | |
19 | 掃描電鏡關(guān)鍵尺寸測量系統(tǒng) | 4 | 詳見文件 | |
20 | 掃描電鏡曝光對準(zhǔn)測量系統(tǒng) | 2 | 詳見文件 | |
21 | 原子力顯微鏡系統(tǒng) | 4 | 詳見文件 | |
22 | 淺槽隔離集成式膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測儀 | 2 | 詳見文件 | |
23 | 層間介質(zhì)層集成式膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測儀 | 2 | 詳見文件 | |
24 | 氧化硅集成式膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測儀 | 2 | 詳見文件 | |
25 | 多晶硅集成式膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測儀 | 2 | 詳見文件 | |
26 | 前段鎢集成式膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測儀 | 2 | 詳見文件 | |
27 | 后段鎢集成式膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測儀 | 2 | 詳見文件 | |
28 | 銅集成式膜厚光學(xué)關(guān)鍵尺寸量測儀 | 2 | 詳見文件 | |
29 | 電子束缺陷掃描量測儀 | 1 | 詳見文件 | |
30 | 電子束缺陷掃描儀 | 2 | 詳見文件 | |
31 | 電子顯微鏡 | 2 | 詳見文件 | |
32 | 光學(xué)宏觀缺陷掃描儀 | 3 | 詳見文件 | |
33 | 光學(xué)顯微鏡 | 3 | 詳見文件 | |
34 | iline掃描光刻機(jī)2 | 1 | 詳見文件 | |
35 | 晶圓級器 (略) 測試機(jī)臺 | 1 | 詳見文件 |
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“銷邦招標(biāo)”